5G時(shí)代的到來(lái),更多高頻高功率的設(shè)備也隨之涌現(xiàn),伴隨著這些器件的產(chǎn)生,如何高效散熱成為一個(gè)亟待解決問題。對(duì)于熱管理材料而言,一定時(shí)間內(nèi)傳導(dǎo)熱量的多少不僅取決于熱導(dǎo)率的高低,還與其厚度有關(guān),這就類似于水管傳導(dǎo)水流,流速一定時(shí),水管越粗,傳導(dǎo)的水量越多。所以,高效的熱管理材料,即具有高熱通量的材料,需要同時(shí)具備高熱導(dǎo)率和高厚度兩個(gè)要素。目前常用的熱管理材料主要可以分為金屬材料和非金屬材料。傳統(tǒng)的金屬材料由于其易加工性可以很容易做厚,但是其導(dǎo)熱依賴于其有限的自由電子數(shù)量,所以熱導(dǎo)率比較有限,銀是熱導(dǎo)率最高的金屬,熱導(dǎo)率也僅僅只有429 W m-1 K-1。而熱導(dǎo)率高的非金屬材料,主要是碳基膜,例如碳化的聚酰亞胺膜和高定向熱解石墨,卻很難做厚,所以制備高熱通量的導(dǎo)熱膜仍面臨挑戰(zhàn)。
石墨烯膜由于其優(yōu)異的導(dǎo)電導(dǎo)熱性能而備受關(guān)注,目前微米級(jí)石墨烯膜的導(dǎo)熱率最高可以做到1940W m-1 K-1。就石墨烯厚膜的方法而言,其加工工藝可以分為兩大類,一是基于石墨烯和氧化石墨烯的溶液加工方式,另一種是基于石墨烯粉體的壓制工藝。前者由于溶劑的揮發(fā)不均勻性(表層溶劑揮發(fā)形成殼層結(jié)構(gòu)限制了內(nèi)層溶劑的揮發(fā))等因素,制備出的石墨烯厚膜具有較低的取向度,導(dǎo)熱率不高;后者制得的膜由于粉體之間的邊界難以消除,往往具有較低的導(dǎo)熱率,所以尚未實(shí)現(xiàn)通過直接方法制備兼具高厚度和高導(dǎo)熱的石墨烯膜。為解決這一問題,浙江大學(xué)高超教授團(tuán)隊(duì)提出一種基于氧化石墨烯自融合效應(yīng)的間接粘接的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)高熱通量石墨烯厚膜的制備。相關(guān)成果以“Ultrathick and highly thermally conductive graphene films by self-fusion strategy”為題發(fā)表在《Carbon》(doi: 10.1016/j.carbon.2020.05.051)上,論文第一作者為17級(jí)碩士生張曉東。
研究亮點(diǎn)
1. 利用納米膜的粘接證明了氧化石墨烯膜在粘接以及石墨化后,可以實(shí)現(xiàn)晶格融合,即原子尺度的融合。
2. 利用氧化石墨烯的自融合效應(yīng),通過粘接不同層數(shù)的氧化石墨烯膜,經(jīng)過干燥、熱壓、石墨化、冷壓之后,得到了不同厚度且無(wú)界面層離的石墨烯膜。
3. 證明了隨厚度的變化,該方法制備的石墨烯膜的導(dǎo)熱率和導(dǎo)電率變化比較穩(wěn)定,最厚的24層石墨烯膜(厚度約為200 μm)仍然保持有1220 W m-1 K-1的熱導(dǎo)率和6.91×105 S m-1的電導(dǎo)率。
4. 證明了制備的石墨烯厚膜具有高熱通量。在文中展示的傳熱模型中24層石墨烯膜的熱通量為0.2002 J s-1, 兩倍于具有相同厚度的銅箔(熱通量為0.0955 J s-1),也明顯高于具有較小厚度的石墨烯膜。
圖1: 石墨烯厚膜的制備流程。標(biāo)尺自上而下分別是:4cm,1cm,1cm,1cm,1cm,1cm。
石墨烯厚膜的制備分為溶脹、粘接、干燥、熱壓、石墨化、冷壓等幾個(gè)步驟(圖1)。其中溶脹的作用是使GO膜表面的含氧官能團(tuán)活化,以便在粘接過程中形成氫鍵,使相鄰的膜之間實(shí)現(xiàn)界面融合。采用熱壓法進(jìn)行預(yù)還原可以防止在300 ℃以下快速逸出的氣體破壞組裝膜的完整性。石墨化并經(jīng)300 MPa的冷壓后即得到了200 μm厚的石墨烯厚膜,其密度在2.0?2.1 g / cm3之間。
圖2 :(a)單張GO膜截面。(b-d)粘接、熱壓、及石墨化后的3層膜的截面。(e-h)粘接法制備的6層、12層、16層、和24層石墨烯膜。
在電鏡下觀察粘接法制備的三層GO膜的截面可以發(fā)現(xiàn)(圖2b),其與單層GO膜的截面只有厚度的差異,而無(wú)結(jié)構(gòu)的不同。且經(jīng)熱壓(圖2c)和石墨化(圖2d)后,均沒有層離結(jié)構(gòu)出現(xiàn),整個(gè)截面呈現(xiàn)出均一完整的結(jié)構(gòu)。即使將粘接層數(shù)提高到6層、12層、16層和24層,所得石墨烯膜都沒出現(xiàn)層離結(jié)構(gòu),且具有致密且高取向的結(jié)構(gòu)。
圖3:(a-f)錯(cuò)位粘接的GO膜(PGOF),錯(cuò)位粘接的石墨烯膜(PGF)和錯(cuò)位層壓的石墨烯膜(LGF)的搭接剪切測(cè)量。(a,d)搭接剪切測(cè)量示意圖。(b)拉伸破壞后PGOF(上)和PGF(下)的照片。標(biāo)尺:5mm。(c)PGF和PGOF的剪切應(yīng)力-應(yīng)變曲線。(e)斷裂前后的LGF照片。標(biāo)尺:5mm。(f)LGF的連接應(yīng)力-應(yīng)變曲線。(g,h)PGOF的截面圖。(i)PGF連接表面。(j)LGF的截面。(k,l)LGF連接表面。
應(yīng)用搭接-剪切測(cè)量表征粘接界面的連接強(qiáng)度。錯(cuò)位粘接的GO膜呈現(xiàn)出與單張GO膜相當(dāng)?shù)睦鞆?qiáng)度(122 MPa),經(jīng)過石墨化后依然保持單張石墨烯膜相似的力學(xué)性能,進(jìn)一步確認(rèn)了兩張膜的緊密連接(圖3c)。與之相反的是,錯(cuò)位層壓的兩張石墨烯膜的連接強(qiáng)度極低,只有21.4 KPa(圖3f)。SEM下也可以很清楚地看出,粘接法消除了兩張膜之間的界面(圖3g和h)。當(dāng)將兩張膜沿界面撕開時(shí),分離的表面布滿碎片(圖3i)。這些證據(jù)證明粘接法可以實(shí)現(xiàn)兩張膜的充分融合。

圖4:(a)納米膜之間融合的機(jī)理。(b)TEM下30 nm石墨烯膜的截面。(c,d)TEM下粘接法制備的60 nm石墨烯膜截面。
進(jìn)一步地,將兩張30 nm厚的GO膜進(jìn)行粘接并石墨化,觀察其在TEM下截面的晶格結(jié)構(gòu)?梢钥闯,粘接膜呈現(xiàn)出和單張膜相同的完美晶格結(jié)構(gòu),且在粘接界面處,晶格依然連續(xù),表明兩張膜在粘接并石墨化后實(shí)現(xiàn)了原子尺度的融合(圖4c和d)。

圖5:(a-c)SEM下PGF,BGF和LGF的截面。(d)PGF和BGF的XRD圖譜。(e)三種膜的熱導(dǎo)率與厚度的關(guān)系。(f)三種膜的電導(dǎo)率與厚度的關(guān)系。
作為對(duì)照,亦通過層壓法(LGF)和直接刮涂法(BGF)制備了與粘接法(PGF)相同層數(shù)(或厚度)的石墨烯膜。可以看出相比于LGF的層離結(jié)構(gòu)(圖5b)和BGF的低取向結(jié)構(gòu)(圖5c),PGF具有致密且高取向的結(jié)構(gòu)(圖5a)。這種結(jié)構(gòu)賦予了其優(yōu)異的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能,其導(dǎo)熱率和導(dǎo)電率基本不隨厚度的升高而降低,厚度達(dá)到200 μm以上時(shí)其仍然保持有1224 W m-1 K-1的熱導(dǎo)率和6.91×105 S m-1的電導(dǎo)率。而BGF由于隨著刮涂厚度的增加膜的取向度降低導(dǎo)致其導(dǎo)熱率在35 μm處驟減,隨后漸漸趨于穩(wěn)定。LGF的導(dǎo)熱率隨層數(shù)的增加一直有下降的趨勢(shì),24層LGF的導(dǎo)熱率為646 W m?1 K?1,只有PGF的一半。
圖6:(a)200 μm的PGF,Cu箔和Al箔以及10 μm的石墨烯膜的紅外熱像圖。(b)根據(jù)紅外熱像圖所繪的各膜溫度分布曲線。(c)應(yīng)用不同種類膜加熱石墨塊(5mm×5mm×20mm)的溫度與時(shí)間的關(guān)系。所有的膜尺寸為40mm×20mm×0.2mm。(d)應(yīng)用不同厚度的石墨烯膜加熱石墨塊時(shí)的溫度與時(shí)間的關(guān)系。
紅外熱圖像直觀地比較了200 μm的PGF,Cu箔和Al箔以及10 μm的石墨烯膜的傳熱速度,不難看出同時(shí)具有高厚度和高熱導(dǎo)率的PGF展現(xiàn)出了最快的傳熱速度,整張膜的溫度分布最均勻(圖6a和b)。用恒溫?zé)嵩矗?/span>68℃)分別通過以上膜加熱石墨塊(圖6c),發(fā)現(xiàn)應(yīng)用PGF加熱石墨塊的溫度上升最快,平衡溫度最高。對(duì)前25s時(shí)各膜的熱通量進(jìn)行粗略的計(jì)算,PGF的平均熱通量為0.2002 J s-1,是銅箔(0.0955 J s-1)的兩倍。而且24層PGF的傳熱速度也要明顯高于較小層數(shù)的PGF。表明高熱通量取決于高厚度和高導(dǎo)熱率兩個(gè)因素。
該方法為制備高熱通量熱管理材料提供了一種新的思路,也拓寬了石墨烯膜作為導(dǎo)熱材料的應(yīng)用可能。該論文得到了國(guó)家自然科學(xué)基金、國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)項(xiàng)目、浙江省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃和浙江大學(xué)百人計(jì)劃等相關(guān)經(jīng)費(fèi)的資助。
原文鏈接:https://doi.org/10.1016/j.carbon.2020.05.051
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