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  中國正進入芯片高速發展期，光刻膠作為半導體制造不可或缺的材料，技術門檻高，而國內光刻膠整體技術水平遠遠落后國際先進水平，自給率較低，且集中在低端產品。該行業目前主要被美日企業把持，國內市場正面臨“卡脖子”困局。此外，市場上制程穩定性高、工藝寬容度大且普適性強的光刻膠產品屈指可數，當半導體制造節點進入sub-100 nm，甚至是sub-10 nm，如何產生分辨率高且截面形貌優良、線邊緣粗糙度（LER）低的光刻圖形，成為光刻制造的共性主題。半導體市場持續擴大，如何進一步降本增效，也是大家共同努力的方向。而具備二元協同光響應機制的光刻膠有望為上述問題提供明確的方向，同時為EUV光刻膠的著力開發做技術儲備。

圖1. 雙非離子型光酸協同增強響應化學放大光刻膠的合成及其光刻工藝示意圖。

圖2. 幾種不同光刻膠體系在紫外光輻照下膜層的紫外吸收光譜動態變化：(a) P(MONMA-TBMA); (b) P(MONMA-HEMA-TBMA); (c) MONS/PMMA; (d) MONS/PTBMA; (e) MONS/P(MONMA-TBMA); (f) MONS/P(MONMA-HEMA-TBMA)。

圖3.（a）光刻顯影后P(MONMA-HEMA-TBMA)化學放大膠的光學顯微鏡效果圖；（b）光刻膠十字圖案表面形貌的掃描電鏡圖像；（c）光刻膠溝道圖案表面形貌的掃描電鏡圖像；（d）光刻膠溝道圖案寬度正態分布。

  原文鏈接：https://doi.org/10.1016/j.cej.2024.148810

通訊作者簡介

朱明強教授，2001年畢業于北京大學，獲理學博士學位。現任職華中科技大學武漢光電國家研究中心教授。在JACS、Nano energy、Nat. Commun.與Adv. Mater.等國際頂刊上發表了100多篇論文，獲2017年北京市自然科學二等獎和2023年湖北省自然科學二等獎，于2018年入選英國皇家化學學會會士。目前的研究重點集中于光刻制造、有機納米光電子學和超分辨率成像。

柳俊教授，2014年畢業于香港城市大學，獲理學博士學位。曾先后獲湖北省“百人計劃”，“3551光谷”，深圳市“海外高層人才孔雀計劃”，深圳市龍崗區 “龍崗區高層次人才” 等人才稱號。于2021年加入湖北九峰山實驗室，任工藝中心主管。在Nanomaterials、ACS APM、Appl. Phys. Lett.和Solid-State Electronics等國際頂刊上發表多篇論文。目前主要負責化合物半導體的制造、加工和表征。

向詩力博士，2021年畢業于華中科技大學武漢光電國家實驗室，獲理學博士學位。在Nano energy、ACS APM、Chem. Eng. J. 與Chem. Mater.等國際頂刊上發表多篇論文。曾獲“3551光谷優秀青年人才” 稱號。2022年加入湖北九峰山實驗室，目前主要負責半導體光刻制造的前端研發。