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采用電化學方法表面處理用CVD法制備的高強度SiC纖維，研究了SiC纖維的陽極極化曲線，提出了新的陽極反應機制，吸附在陽極表面的OH^-離子通過前置反應生成中間產物O^-，這個中間產物破壞C原子與Si之間的化學鍵，形成Si-O鍵后再互相連接構成表面膜，如果反應時間過長，則一些表面的Si原子與基體上的碳原子C_b之間的化學鍵會被破壞，表面層會因膨脹而脫落。