Nano Y2-xSiO5:Eux3+: Preparation, structure effect on emitting properties, emitting mechanism
作者：Shanyi Guang, Chao Zhang, Hongyao Xu*, Haiyan Wang, Naibo Lin,
關(guān)鍵字：發(fā)光材料
論文來(lái)源：期刊
具體來(lái)源：Chinese Journal of Inorganic Chemistry, 2007, 23 (6): 999-1004
發(fā)表時(shí)間：2007年
用溶膠凝膠法合成了Y2- xSiO5∶Eux 納米發(fā)光材料, 使用XRD、FTIR 和TEM對(duì)其結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征。討論了相結(jié)構(gòu)、煅燒溫度和Eu3+摻雜濃度對(duì)材料發(fā)光性能的影響及規(guī)律。結(jié)果顯示煅燒溫度在900 ℃以下, 材料主要呈非晶相結(jié)構(gòu), 900 ℃以上材料主要呈晶態(tài)結(jié)構(gòu); 顆粒隨煅燒溫度升高而增大, 在非晶態(tài)時(shí)顆粒大小在15~45 nm, 在晶態(tài)時(shí)顆粒大小為60~80 nm。激發(fā)光譜和熒光發(fā)射光譜受材料晶相結(jié)構(gòu)以及Eu3+摻雜濃度的影響, 在晶態(tài)結(jié)構(gòu)中Y2- xSiO5∶Eux 納米材料呈現(xiàn)更精細(xì)的激發(fā)和發(fā)射光譜。在激發(fā)光譜中, 電荷轉(zhuǎn)移態(tài)吸收(CST)隨煅燒溫度升高呈現(xiàn)蘭移現(xiàn)象, 晶態(tài)時(shí)CST 同非晶態(tài)相比明顯紅移; 在發(fā)射光譜中, 非晶態(tài)時(shí)5D0→7F2 躍遷呈現(xiàn)強(qiáng)的發(fā)光峰, 隨材料制備溫度升高而增強(qiáng), 在晶態(tài)時(shí)該發(fā)光峰強(qiáng)度減弱, 在長(zhǎng)波波段呈現(xiàn)兩個(gè)新的發(fā)光尖峰, 并隨煅燒溫度升高而增強(qiáng); 5D0→7F1 發(fā)射峰從非晶態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榫B(tài)后, 光譜裂分為三重尖峰; 而5D0→7F0 躍遷發(fā)光光譜受結(jié)構(gòu)和顆粒大小影響較小。同時(shí)在60~80 nm 的Y2- x SiO5∶Eux 晶體中, 發(fā)現(xiàn)材料5D0→7F2 和5D0→7F1 躍遷發(fā)光強(qiáng)度, 均受Eu3+摻雜濃度的影響, 當(dāng)摻雜濃度x=0.4 時(shí), 材料發(fā)光強(qiáng)度最大。