超支化聚合物是拓撲高分子的重要類型之一，相對于樹狀高分子，具有顯著的合成便利性，但是分子內環化一直是其缺陷的重要形式。分子內環化和支化單元有著相同的化學鍵接，無法采用核磁、光譜或分子量的方法得出定量的數據，目前部分學者采用P. J. Flory（1974年Nobel化學獎得主）的轉化率理論或基質輔助激光解吸電離飛行時間質譜（(MALDI−TOF MS）進行定性表述，影響了拓撲高分子的精細合成的研究發展。
論文從超支化高分子的微觀拓撲結構分析入手，定義了平均環化數（ANC）和環均分子量（MC）的概念，巧妙地推導出該參數與樹狀單元、線性單元、端基單元、數據分子量的內在聯系，得到ANC和MC參數的定量表達式，結合定量核磁共振硅譜（29Si-NMR）和體積排除色譜-多角激光光散射聯用儀（SEC-MALLS）實驗，實現了ANC和MC參數的定量化表征和測定，在此基礎上探討了間隔基團對分子內環化形成的影響。ANC和MC參數的定量表達式基于應用廣的A2+Bn聚合方法推出，具有較好的普適性，對于實現超支化拓撲高分子的精細合成，得到無缺陷的拓撲結構（Defect-Free）具有重要的指標化意義。