| 簡介： |
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在無模板、無表面活性劑條件下,采用靜態化學氧化聚合法合成了高聚合產率(93%)聚吡咯納米顆粒.以紅外光譜、廣角X射線衍射、四探針儀、掃描電子電鏡和透射電子顯微鏡對聚吡咯的結構、電性能和形貌進行了表征.并研究了攪拌條件、氧化劑種類、過硫酸銨P吡咯摩爾比、聚合反應溫度和反應介質對聚吡咯納米顆粒的粒徑、形貌的影響.結果發現,聚吡咯納米顆粒的尺寸隨聚合反應條件的變化而改變.在靜態條件下,以過硫酸銨為氧化劑、過硫酸銨P吡咯摩爾比為0125,于0℃冰水浴中有利于獲得聚吡咯納米顆粒.透射電子顯微鏡的結果表明以過硫酸銨P吡咯摩爾比為0125,于0℃下110molPLHCl水溶液介質中可以聚合得到直徑為43nm、顆粒大小均勻的球形聚吡咯納米顆粒.鹽酸摻雜聚吡咯納米顆粒的室溫電導率可達515SPcm. |
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