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PDF文件
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| 關鍵詞： |
ECALE 欠電位沉積 熱電材料 Bi2Te3納米薄膜 |
| 資料大小： |
83K |
| 所屬學科： |
高分子化學 |
| 來源： |
來源網絡 |
| 簡介： |
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本文首次研究了電化學原子層外延（ECALE）法室溫沉積碲化鉍納米薄膜的過程。ECALE是原子層外延的電化學模擬。它通過欠電位技術實現電化學沉積過程中的原子級的精確控制，每次只沉積一個原子層厚度，通過沉積循環的控制可以實現對沉積薄膜材料種類和厚度的控制。采用三電極和循環伏安法，分別研究確定了Pt電極上欠電位沉積金屬Bi薄膜、Te在Pt電極上欠電位沉積條件以及Bi在Te表面和Te在Bi表面的交替沉積行為及其沉積參數，通過不同電位交替沉積得到Bi2Te3納米薄膜。對薄膜的氧化剝落及其電量分析結果進一步證明了該薄膜的沉積過程是一種二維層狀生長過程。 |
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| 上傳人： |
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| 上傳時間： |
2007-07-13 12:01:25 |
| 下載次數： |
7000 |
| 消耗積分： |
2
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