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后處理工藝對BST 薄膜殘余應力的影響的分析

資料類型：

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關鍵詞：

射頻磁控濺射鈦酸鍶鋇薄膜晶化殘余應力

資料大小：

307K

所屬學科：

分子表征

來源：

2007年第六屆中國功能材料及其應用學術會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)

簡介：

采用射頻磁控濺射在Pt/Ti/SiO2/Si(100)襯底上制備了鈦酸鍶鋇（BST）薄膜，利用氣氛爐對薄膜進行晶化處理，晶化后薄膜的應力采用XRD表征。研究其殘余應力隨退火氣氛、退火溫度以及退火降溫速率變化的趨勢，通過對不同后處理工藝參數實驗結果的分析，得到較優化的工藝參數，以制備較小殘余應力的優質BST薄膜。

作者：

唐海軍，楊傳仁，陳宏偉，張繼華，馮術成

上傳時間：

2008-08-28 13:57:03

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