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Ag(TCNQ)納米線的制備和場發射性能研究 |
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| 資料類型： |
PDF文件
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| 關鍵詞： |
氣－液－固反應 Ag(TCNQ)納米線 場發射 |
| 資料大小： |
145K |
| 所屬學科： |
性能表征 |
| 來源： |
來源網絡 |
| 簡介： |
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采用氣－液－固反應方法在硅片上制備了取向金屬有機配合物Ag(TCNQ)納米線。樣品的XRD特征峰與Ag(TCNQ)相對應；SEM形貌顯示納米線幾乎垂直基片生長，直徑在50~300nm，長度在2~50&micro；m。初步對其場發射性能進行了研究，所得Ag(TCNQ)納米線的最低場發射開啟電壓約為1.5V&micro；m-1，最大發射電流密度約為0.03mAcm-2，此時對應的電場約為2.5V&micro；m-1。由測量所得I-V曲線得到的Fowler-Nordheim（F-N）曲線近似為一條直線，說明樣品具有場發射性能。重復實驗表明，Ag(TCNQ)納米線的場發射具有一定的穩定性。結合納米線制備工藝，初步分析了場發射性能的影響因素。 |
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| 上傳人： |
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| 上傳時間： |
2007-07-09 16:19:24 |
| 下載次數： |
588 |
| 消耗積分： |
2
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