 |
PVD法制備多晶碘化汞膜的光電特性研究 |
|
|
|
| 資料類型： |
PDF文件
|
| 關(guān)鍵詞： |
多晶 碘化汞 物理氣相沉積 探測(cè)器 |
| 資料大?。?/td>
| 389K |
| 所屬學(xué)科： |
性能表征 |
| 來(lái)源： |
來(lái)源網(wǎng)絡(luò) |
| 簡(jiǎn)介： |
|
用熱壁物理氣相沉積法（Hot－WallPVD）制備出晶體質(zhì)量較好的多晶HgI2膜，研究了生長(zhǎng)參數(shù)對(duì)沉積膜質(zhì)量的影響，對(duì)多晶HgI2膜用金相顯微鏡、XRD、紅外光譜進(jìn)行了表征觀察及對(duì)用多晶HgI2膜制備的探測(cè)器采用了暗電流測(cè)試；結(jié)果表明PVD法制備的多晶HgI2膜純度高，結(jié)構(gòu)完整性好，均勻性好，并且其相應(yīng)器件有低的暗電流（電場(chǎng)0.2V/μm時(shí)，為25pA/mm2）。 |
|
| 上傳人： |
|
| 上傳時(shí)間： |
2007-07-17 15:20:49 |
| 下載次數(shù)： |
574 |
| 消耗積分： |
2
|
| 立即下載： |
|
|
| 友情提示：下載后對(duì)該資源進(jìn)行評(píng)論，即可獎(jiǎng)勵(lì)2分。 |
|
| 報(bào)告錯(cuò)誤： |
1.下載無(wú)效
2. 資料明顯無(wú)價(jià)值
3. 資料重復(fù)存在 |
| |
|
|
| 你還沒有登錄，無(wú)法發(fā)表評(píng)論，請(qǐng)首先 |
 |
| 免責(zé)聲明：本站部分資源由網(wǎng)友推薦，來(lái)自互聯(lián)網(wǎng)，版權(quán)屬于原版權(quán)人，如果不慎侵犯到您的權(quán)利，敬請(qǐng)告知，我們會(huì)在第一時(shí)間撤除。本站中各網(wǎng)友的評(píng)論只代表其個(gè)人觀點(diǎn)，不代表本站同意其觀點(diǎn)。 |
|
|
|
|
